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Questões de Física

24.730 questões encontradas

  1. Questão 701

    ID 3500172

    Disciplina: Física

    Assunto: Física de Semicondutores

    Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


    Os processos de produção desenvolvidos pela área de Microeletrônica têm colaborado com o desenvolvimento de
    tecnologias limpas em outras áreas do conhecimento. Das técnicas advindas da Microeletrônica, destaca-se a
    deposição química a vapor enriquecida por plasma. As principais vantagens do uso de plasmas no tratamento de
    superfícies são:
    Alternativas da questão 3500172
  2. Questão 702

    ID 3500170

    Disciplina: Física

    Assunto: Fenômenos Ópticos

    Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


    Controlar os defeitos gerados na lâmina é mais crítico para dispositivos/circuitos com menores características de
    tamanho, alta densidade e em lâminas maiores. Dessa forma, a indústria eletrônica tem investido cada vez mais em
    minimizar os defeitos na máscara. Isso porque os defeitos em uma máscara/retículo acabam causando defeitos na
    lâmina (substrato) ou desvio de padrão. Um dos defeitos comuns que ocorrem na máscara/retículo é a contaminação
    com sujeira ou manchas na parte clara da máscara/retículo. Em óptica litográfica, esses defeitos podem ter a seguinte
    consequência:
    Alternativas da questão 3500170
  3. Questão 703

    ID 3500163

    Disciplina: Física

    Assunto: Física de Semicondutores

    Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


    O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram em 1960 o desenvolvimento do transistor de
    efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS
    apresentavam uma interface SiO2/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfície. Mas,
    apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande
    escala. O motivo desse problema era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as
    impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam um desvio na tensão de limiar
    dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se
    a impureza de
    Alternativas da questão 3500163
  4. Questão 704

    ID 3500162

    Disciplina: Física

    Assunto: Equação de Bernoulli

    Ano: 2012 Banca: FUNDATEC - Fundação Universidade Empresa de Tecnologia e Ciências Órgão: Prefeitura Municipal de Sapucaia do Sul


    O tubo de Pitot é uma sonda utilizada para medir a velocidade de fluidos, e sua existência foi bastante comentada na mídia após o acidente com o avião da empresa Air France, provocado pelo congelamento da sonda em pleno voo. O tubo de Pitot é uma exemplo de aplicação da

    Alternativas da questão 3500162
  5. Questão 705

    ID 3500138

    Disciplina: Física

    Assunto: Teorema de Stevin

    Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará




    Se a coluna de óleo fosse dez vezes maior, o acréscimo na pressão pA seria inferior a 5%.

    Alternativas da questão 3500138
  6. Questão 706

    ID 3500123

    Disciplina: Física

    Assunto: Pressão

    Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará




    A pressão da coluna de água equivale a 0,25 bar.

    Alternativas da questão 3500123
  7. Questão 707

    ID 3500121

    Disciplina: Física

    Assunto: Física de Semicondutores

    Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


    Difusão, na fabricação de Circuitos Integrados, refere-se à migração forçada e controlada de impurezas no substrato. O
    perfil de impurezas resultante, que tem papel importante no desempenho do Circuito Integrado, é afetado pela
    temperatura e pelo tempo de difusão. Fontes de impurezas podem ser líquidas, gasosas e sólidas e são colocadas em
    contato com o silício do substrato. Dentre as impurezas gasosas, as mais usadas como dopantes do tipo p e dopantes do
    tipo n, respectivamente, são
    Alternativas da questão 3500121
  8. Questão 708

    ID 3500119

    Disciplina: Física

    Assunto: Temperatura e Escalas Termométricas

    Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará




    A temperatura do ar é igual a 270 K.

    Alternativas da questão 3500119
  9. Questão 709

    ID 3500114

    Disciplina: Física

    Assunto: Física de Semicondutores

    Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


    A falta da adesão do fotorresiste em muitas películas da superfície do filme é um problema geralmente encontrado no
    processamento do silício. A fim de promover a adesão, a superfície da lâmina é tratada com um promotor de adesão
    como o hexametildisilazano (HMDS, (H3C)3-Si-NH-Si-(CH3)3) antes da aplicação do fotorresiste. Esse tratamento
    fornece uma boa adesão do fotorresiste para uma variedade de filmes, incluindo o dióxido de silício contendo o
    fósforo, silício policristalino, nitreto de silício (Si3N4) e o alumínio. O HMDS pode ser aplicado diretamente sobre o
    substrato ou aplicado em pressão reduzida, em um forno a vácuo, com o objetivo principal de
    Alternativas da questão 3500114
  10. Questão 710

    ID 3500105

    Disciplina: Física

    Assunto: Vazão

    Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará




    A vazão de vapor requerida é igual a

    Alternativas da questão 3500105
  11. Questão 711

    ID 3500104

    Disciplina: Física

    Assunto: Pressão

    Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará




    A altura da coluna de água equivale a 2,5 m.

    Alternativas da questão 3500104
  12. Questão 712

    ID 3500102

    Disciplina: Física

    Assunto: Frequência

    Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


    Uma forma sistemática de limpeza, denominada limpeza acústica, utiliza um "mecanismo suave de limpeza". O
    processo gera ondas sonoras que vibram os materiais. Esse processo é usado mais frequentemente nas indústrias
    de semicondutores, porque é menos susceptível de causar danos, especialmente para aqueles materiais sensíveis que
    precisam ser limpos regularmente. Os tipos mais comuns dessa tecnologia são o ultrassom e o megasonic. Qual a
    principal diferença entre o sistema de limpeza ultrassônica e megasonic?
    Alternativas da questão 3500102
  13. Questão 713

    ID 3500095

    Disciplina: Física

    Assunto: Pressão Atmosférica

    Ano: 2012 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Perícia Forense do Estado do Ceará




    A pressão pA é igual a 1,1 atm.

    Alternativas da questão 3500095
  14. Questão 714

    ID 3500090

    Disciplina: Física

    Assunto: Trabalho e Potência

    Ano: 2012 Banca: FUNDATEC - Fundação Universidade Empresa de Tecnologia e Ciências Órgão: Prefeitura Municipal de Sapucaia do Sul


    A potência de eixo de uma bomba é dada pela fórmula:

    Alternativas da questão 3500090
  15. Questão 715

    ID 3500076

    Disciplina: Física

    Assunto: Fusão e Fissão

    Ano: 2013 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Secretaria de Estado da Gestão Pública do Estado de Alagoas


    Acerca de radioatividade e temas relacionados, julgue os itens a seguir.



    Na fissão nuclear, há bombardeamento de nuclídeos pesados com nêutrons, de modo a fragmentá-los em nuclídeos mais leves, com liberação de grande quantidade de energia.

    Alternativas da questão 3500076
  16. Questão 716

    ID 3500074

    Disciplina: Física

    Assunto: Teoria Cinética dos Gases

    Ano: 2013 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Secretaria de Estado da Gestão Pública do Estado de Alagoas


    Tomando o valor da constante universal dos gases igual a 8,3145 kPa L K-1 mol 1, julgue os itens seguintes, relativos a propriedades dos gases.



    Segundo o modelo cinético dos gases, as moléculas em um gás não interagem umas com as outras, exceto quando colidem; desse modo, a energia potencial é independente da distância entre as moléculas e pode ser considerada zero. Assim, pode-se afirmar que a energia total do sistema depende da velocidade das moléculas.

    Alternativas da questão 3500074
  17. Questão 717

    ID 3500033

    Disciplina: Física

    Assunto: Entropia

    Ano: 2013 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Secretaria de Estado da Gestão Pública do Estado de Alagoas


    entalpias padrão de combustão:

    benzeno (C6H6 (l)): – 3268 KJ

    ciclohexano (C6H12 (l)): – 3902 kJ

    entropias molares padrão : \(S_m^0\) :

    H2O (l): 75 J K-1 mol-1

    H2 (g): 131 J K-1 mol-1

    O2 (g): 205 J K-1 mol-1

    Reações:

    (I) H2 (g) + ½ O2 (g) → H2O (l) (entalpia padrão de reação = - 286 kJ)

    (II) C6H6 (l) + 3 H2 (g) → C6H12 (l)

    Considerando as informações acima, julgue os itens subsequentes, relacionados a conceitos de termoquímica.



    Para um processo reversível, a variação da entropia é maior ao se reduzir a temperatura.

    Alternativas da questão 3500033
  18. Questão 718

    ID 3499969

    Disciplina: Física

    Assunto: Teorema de Stevin

    Ano: 2014 Banca: COPEVE/UFAL - FUNDEPES Órgão: Companhia de Saneamento de Alagoas


    Um reservatório montado sobre um suporte deve ser preenchido com água potável através de uma tubulação que está conectada à rede de distribuição pública de água. Conforme indicado na ilustração, a diferença de altura entre o ponto admissão de água na tubulação e o ponto de descarga é de 5,0 metros.

    Considerando que não há atrito na tubulação, indique qual a pressão mínima necessária, em kPa, no ponto de conexão entre a tubulação e a rede de distribuição para encher o reservatório sem a utilização de sistemas artificiais de elevação de água.

    Dados: massa especifica da água = 1000 kg . m-3, aceleração da gravidade = 10 . m s-2 e pressão atmosférica local = 100 kPa.

    Alternativas da questão 3499969
  19. Questão 719

    ID 3499794

    Disciplina: Física

    Assunto: Fusão e Fissão

    Ano: 2015 Banca: CETRO - Cetro Concursos Públicos Órgão: Amazônia Azul Tecnologias de Defesa S.A.


    Para que o processo de fissão libere grande quantidade de energia, é preciso que ocorra uma reação em cadeia, na qual cada nêutron produzido possa causar uma nova fissão. A reação em cadeia pode ser explosiva ou controlada. Em um reator nuclear, um fator de reprodução k é definido como o número médio de nêutrons resultante de fissões que geram novas fissões. No reator PWR, tanto o moderador quanto as barras de controle têm influência no fator k, mantendo a reação em cadeia controlada. Sobre essa influência, é correto afirmar que

    Alternativas da questão 3499794
  20. Questão 720

    ID 3499793

    Disciplina: Física

    Assunto: Pressão

    Ano: 2015 Banca: DIRENS MARINHA - Diretoria de Ensino da Marinha Órgão: Marinha do Brasil


    Analise a figura a seguir.

    Assinale a opção que apresenta o valor da pressão manométrica (em KN/m2) obtida no ponto P, de uma esfera contendo uma substância X e água conectada a um tubo em forma de U, conforme representado na figura acima.

    Dados:

    Densidade da água = 103 Kg/m3

    Densidade da substância X = 750 Kg/m3

    Densidade do Mercúrio = 13,6 x 103 Kg/m3

    g = 10 m/s2

    Alternativas da questão 3499793
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