Questão
ID 3500163Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram em 1960 o desenvolvimento do transistor de
efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS
apresentavam uma interface SiO2/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfície. Mas,
apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande
escala. O motivo desse problema era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as
impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam um desvio na tensão de limiar
dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se
a impureza de
efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS
apresentavam uma interface SiO2/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfície. Mas,
apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande
escala. O motivo desse problema era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as
impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam um desvio na tensão de limiar
dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se
a impureza de