Questão
ID 3500114Disciplina: Física
Assunto: Física de Semicondutores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
A falta da adesão do fotorresiste em muitas películas da superfície do filme é um problema geralmente encontrado no
processamento do silício. A fim de promover a adesão, a superfície da lâmina é tratada com um promotor de adesão
como o hexametildisilazano (HMDS, (H3C)3-Si-NH-Si-(CH3)3) antes da aplicação do fotorresiste. Esse tratamento
fornece uma boa adesão do fotorresiste para uma variedade de filmes, incluindo o dióxido de silício contendo o
fósforo, silício policristalino, nitreto de silício (Si3N4) e o alumínio. O HMDS pode ser aplicado diretamente sobre o
substrato ou aplicado em pressão reduzida, em um forno a vácuo, com o objetivo principal de
processamento do silício. A fim de promover a adesão, a superfície da lâmina é tratada com um promotor de adesão
como o hexametildisilazano (HMDS, (H3C)3-Si-NH-Si-(CH3)3) antes da aplicação do fotorresiste. Esse tratamento
fornece uma boa adesão do fotorresiste para uma variedade de filmes, incluindo o dióxido de silício contendo o
fósforo, silício policristalino, nitreto de silício (Si3N4) e o alumínio. O HMDS pode ser aplicado diretamente sobre o
substrato ou aplicado em pressão reduzida, em um forno a vácuo, com o objetivo principal de