Questão 842536 de Engenharia Mecatrônica - COPESE UFT 2012

Questão

ID 842536

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2012 Banca: COPESE UFT - Comissão Permanente de Seleção da Universidade Federal do Tocantins Órgão: Ministério Público do Estado do Tocantins

Em eletrônica automotiva, os transistores bipolares de junção ainda são bastante utilizados devido à sua confiabilidade sob condições ambientais severas. Mas, em alguns circuitos, os dispositivos de três (3) terminais, TBJ e MOSFETs são combinados para aproveitar as vantagens de ambos. Assinale a alternativa CORRETA:

Alternativa A:
Alta impedância de entrada e baixo consumo de potência dos MOSFETs e, operação em frequências muito altas e capacidade de drenar altas correntes dos transistores bipolares (TBJ).
Alternativa B:
Baixa impedância de entrada e alto consumo de potência dos MOSFETs e, operação em frequências muito altas e capacidade de drenar baixas correntes dos diodos bipolares (TBJ).
Alternativa C:
Baixa impedância de entrada e baixo consumo de potência dos MOSFETs e, operação em frequências muito altas e capacidade de drenar altas correntes dos transistores bipolares (TBJ).
Alternativa D:
Alta impedância de entrada e baixo consumo de potência dos transistores bipolares (TBJ) e, operação em frequências muito altas e capacidade de drenar baixas correntes dos MOSFETs
Alternativa E:
Alta impedância de entrada e baixo consumo de potência dos transistores bipolares (TBJ) e, operação em frequências muito altas e capacidade de drenar altas correntes dos MOSFETs.

Estatísticas Cadernos

Questão 842536

Continue estudando na plataforma