Questão 771030 de Engenharia Mecatrônica - SSPM 2021

Questão

ID 771030

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2021 Banca: SSPM - Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha Órgão: Marinha do Brasil

Com relação aos transistores de efeito de campo, assinale a opção INCORRETA.

Alternativa A:
O JFET pode realmente ser utilizado como um resistor controlado por tensão devido a uma sensibilidade específica da impedância dreno-fonte à tensão porta-fonte.
Alternativa B:
Há dois tipos disponíveis de MOSFETs: de depleção e de intensificação.
Alternativa C:
A seta no símbolo do JFET de canal n ou do MOSFET aponta sempre para o centro do símbolo, enquanto a do dispositivo de canal p aponta sempre para fora dele.
Alternativa D:
Um dispositivo CMOS (MOSFET complementar) é aquele que emprega uma singular combinação de um MOSFET de canal p com outro de canal n com um único conjunto de terminais externos. Possui as vantagens de uma impedância de entrada baixa, chaveamento rápido e altos níveis de potência de operação que o tornam muito útil em circuitos lógicos.
Alternativa E:
Um MESFET tipo depteção inclui uma junção metalsemicondutor, resultando em características que coincidem com as de um MOSFET tipo depleção de canal n. MESFETs tipo intensificação têm as mesmas características dos MOSFETs tipo intensificação. O resultado dessa semelhança é que podemos aplicar a MESFETs o mesmo tipo de técnica de análise CC e CA aplicado a MOSFETs.