Questão 769342

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2022

Questão

ID 769342

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2022 Banca: MAR - Marinha do Brasil Órgão: Marinha do Brasil


Sobre os transistores de efeito de campo (MOSFET), analise as afirmativas abaixo e assinale a opção correta.

I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.

II- O terminal gale é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de sillcio (SiO2).

III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.

IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.

V- O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.

Alternativas da questão 769342
Pular para o conteúdo principal