Questão
ID 749395Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2004 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovações
Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.
O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.