Questão
ID 598707Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2008 Banca: FCC - Fundação Carlos Chagas Órgão: Companhia do Metropolitano de São Paulo
Analise as afirmações relativas aos diodos semicondutores:
I. A barreira de potencial que se forma no diodo é causada pelo bombardeio de átomos de germânio no cristal de silício durante o processo de dopagem.
II. A barreira de potencial em diodos de silício é da ordem de 0,6 V.
III. A intensidade da corrente direta no diodo é diretamente proporcional à tensão reversa nele aplicada.
É correto o que consta APENAS em