Questão 590467

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2014

Questão

ID 590467

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2014 Banca: IDECAN - Instituto de Desenvolvimento Educacional, Cultural e Assistencial Nacional Órgão: Comissão Nacional de Energia Nuclear

O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de potência é um dispositivo amplamente usado como chave em níveis de potência, devido às suas características e vantagens. Baseado nessas características, assinale a alternativa INCORRETA.

Alternativa A:
Mais rápido nas comutações que o TJB, entretanto, fornece mais perdas de condução na saturação.
Alternativa B:
Estão disponíveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os dispositivos em canal N têm valores nominais de corrente e tensão mais altos.
Alternativa C:
É um transistor de chaveamento rápido, caracterizado por uma alta impedância de entrada, apropriado para potências baixas e para aplicações de alta frequência.
Alternativa D:
Devido à baixa resistência de porta, a corrente de controle é elevada, dificultando um controle de condução entre dreno e fonte a partir de uma tensão aplicada no terminal de porta.
Alternativa E:
Utilizado em aplicações importantes, tais como fontes de alimentação chaveadas, nas quais as frequências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econômicos.

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