Questão 503433

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2023

Questão

ID 503433

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2023 Banca: Fundação CESGRANRIO Órgão: Petróleo Brasileiro S.A.

Os transistores bipolares de junção (TBJ) revolucionaram a indústria de equipamentos eletrônicos, permitindo a substituição das válvulas e, consequentemente, reduzindo o consumo e as dimensões dos equipamentos eletrônicos.

Considerando-se um TBJ do tipo npn, com polarização direta do diodo emissor e polarização reversa no diodo coletor, a corrente de coletor pode apresentar praticamente a mesma magnitude da corrente de emissor devido

Alternativa A:
à criação de lacunas no coletor, permitindo um fluxo de elétrons quase idêntico nas junções NP e PN.
Alternativa B:
à superação da barreira de potencial da junção emissor- base e ao campo elétrico formado pela camada de depleção na junção base-coletor, permitindo a geração de um fluxo contínuo de elétrons .
Alternativa C:
ao fato de o coletor ser a região do TBJ com menor índice de dopagem, favorecendo a passagem da maior parte dos elétrons que vem do emissor.
Alternativa D:
ao fato de a base ser uma região fortemente dopada, o que aumenta a injeção de elétrons na região do coletor.
Alternativa E:
ao baixo índice de dopagem do emissor, permitindo um fluxo de elétrons contínuo na direção do coletor.

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