Questão
ID 3560237Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Teoremas: Superposição, Thévenin, Norton
Ano: 2009 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Agência Nacional de Aviação Civil
O circuito acima refere-se ao modelo para pequenos sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão constituído de transistor bipolar de junção (TBJ) na configuração emissor-comum. Nesse circuito, os parâmetros para pequenos sinais são gm = 16,6 × 10-3 S, r \(_\pi\) = 6,0 k \(\Omega\) e ro = 121 k \(\Omega\) . Com referência a esse circuito, julgue os itens seguintes.
Para que haja máxima absorção de potência pela carga RG , é necessário que o valor de RG seja diferente da resistência equivalente de Thévenin do circuito amplificador, que, no circuito apresentado, é dada precisamente por 2,5 k \(\Omega\) .