Questão
ID 3551977Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2013 Banca: VUNESP - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista Órgão: Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial
O modelo de Ebers-Moll pode ser utilizado para modelar o comportamento de transistores bipolares. Supondo os seguintes parâmetros: IB, IC, IE são as correntes de base, coletor e emissor, respectivamente; ICD e IED são as correntes dos diodos de coletor e emissor, respectivamente; αF, αR são os ganhos de corrente em base comum direto e reverso respectivamente, o modelo de Ebers-Moll para um transistor NPN é: