Questão
ID 3500169Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assunto: Circuitos Integrados
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
A busca constante pelo aumento na integração de dispositivos em sistemas integrados é caracterizada por uma
acentuada redução nas dimensões verticais e horizontais. Essa redução das dimensões dos dispositivos faz melhorar
seu desempenho. Dentre as reduções dimensionais, está a da espessura do óxido de porta do capacitor. Porém, essa
redução gradual na espessura do óxido de porta não pode ser acompanhada de perdas de qualidade e/ou confiabilidade,
de robustez dielétrica, e introdução de mecanismos parasitários. Assim, para manter ou mesmo aumentar a qualidade
dos óxidos, apesar da redução na espessura, faz-se necessário um maior cuidado e um maior controle de contaminação
metálica nas lâminas ou nas soluções, pois podem causar diretamente nas lâminas de SiO2: