Questão
ID 3500100Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
O processo químico de forma seca, através da remoção por plasma, pode ser realizado por meio da utilização de
plasma de oxigênio, onde ocorre a oxidação do resiste, removendo-o da superfície. As remoções de resistes por meio
de soluções líquidas são também usadas e preferidas nos processos de front end of the line (processo de fabricação
frontal e de linha do Circuito Integrado), onde a superfície e o estreito canal de condução (fonte e dreno) do circuito
são
plasma de oxigênio, onde ocorre a oxidação do resiste, removendo-o da superfície. As remoções de resistes por meio
de soluções líquidas são também usadas e preferidas nos processos de front end of the line (processo de fabricação
frontal e de linha do Circuito Integrado), onde a superfície e o estreito canal de condução (fonte e dreno) do circuito
são