Questão
ID 3476042Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2025 Banca: IFSUL - Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia Sul-rio-grandense
O transistor de junção bipolar (TBJ) foi inventado em 1948 nos laboratórios Bell, sendo suplantado pelos transistores de efeito de campo (MOSFET) em meados dos anos 1970. Ainda assim, o TBJ continua sendo bastante utilizado em muitas aplicações que demandam circuitos analógicos, tanto integrados quanto discretos, como aplicações de radiofrequência.
Dos fatores abaixo, qual NÃO limita a utilização de um transistor de junção bipolar em altas frequências (acima de dezenas de MHz)?