Questão 3475766

Considere um MOSFET NMOS de canal longo, com fonte e substrato conectados (Vsa = 0), operando em regime DC com Vas =0,8V V,,=0,6VeV,,;=0,5V. Mede-se |, = 1,0 mA. Admita o modelo em saturação com modulação de comprimento de canal, em que:

Considere λ = 0,10 V-¹ e um resistor R_D = 10 kΩ ligado ao dreno (configuração fonte comum), desprezando capacitâncias. A região de operação e os valores aproximados de gm, ro e do ganho de pequeno-sinal A_v = v_out/v_in são: