Questão
ID 3320194Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2019 Banca: IDECAN - Instituto de Desenvolvimento Educacional, Cultural e Assistencial Nacional Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba
Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj´s em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ´s) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais.
( ) Em IGBT´s o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente.
( ) Para conexão de TBJ´s em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor.
( ) Já para o paralelismo de MOSFET´s, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.