Questão
ID 3319671Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2019 Banca: IFMG - Instituto Federal de Minas Gerais Órgão: Instituto Federal de Minas Gerais

Tensão (V)
Com relação ao gráfico acima, que representa as curvas 𝐼 − 𝑉 dos diodos convencionais de 𝐺𝑒, 𝑆𝑖 e 𝐺𝑎𝐴𝑠, considere as seguintes afirmativas:
I- Os valores aproximados das barreiras de potencial dos diodos de 𝐺𝑒, 𝑆𝑖 e 𝐺𝑎𝐴𝑠 são: 0,3 𝑉; 0,7 𝑉 e 1,1 𝑉, respectivamente.
II- A corrente de saturação dos três diodos pode ser calculada pela seguinte expressão matemática: 𝐼𝑠 = \(An_i^2\left(\frac{D_p}{L_pN_a}+\frac{D_n}{L_nN_d}\right)\) .
III- Comparando as curvas 𝐼 − 𝑉 do gráfico em questão, pode-se verificar que o diodo de 𝐺𝑒 apresenta o menor valor de corrente de saturação 𝐼𝑆, em relação aos demais diodos.
IV- A resistência interna dos três diodos é menor do que 20 Ω.
Está(ão) correta(s) a(s) afirmação(ões):