Questão 3319671

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2019

Questão

ID 3319671

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2019 Banca: IFMG - Instituto Federal de Minas Gerais Órgão: Instituto Federal de Minas Gerais


Tensão (V)

Com relação ao gráfico acima, que representa as curvas 𝐼 − 𝑉 dos diodos convencionais de 𝐺𝑒, 𝑆𝑖 e 𝐺𝑎𝐴𝑠, considere as seguintes afirmativas:

I- Os valores aproximados das barreiras de potencial dos diodos de 𝐺𝑒, 𝑆𝑖 e 𝐺𝑎𝐴𝑠 são: 0,3 𝑉; 0,7 𝑉 e 1,1 𝑉, respectivamente.

II- A corrente de saturação dos três diodos pode ser calculada pela seguinte expressão matemática: 𝐼𝑠 = \(An_i^2\left(\frac{D_p}{L_pN_a}+\frac{D_n}{L_nN_d}\right)\) .

III- Comparando as curvas 𝐼 − 𝑉 do gráfico em questão, pode-se verificar que o diodo de 𝐺𝑒 apresenta o menor valor de corrente de saturação 𝐼𝑆, em relação aos demais diodos.

IV- A resistência interna dos três diodos é menor do que 20 Ω.

Está(ão) correta(s) a(s) afirmação(ões):

Alternativas da questão 3319671
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