Questão 3136784

Engenharia Mecatrônica · 2024

Questão

ID 3136784

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2024 Banca: Instituto AOCP Órgão: Tribunal Regional Federal da 2ª Região

Ao analisar as tecnologias de fabricação de circuitos integrados, um engenheiro eletrônico deve levar em consideração os parâmetros funcionais dos transistores utilizados em seu projeto. Desse modo, assinale a alternativa correta no que se refere aos circuitos integrados.

Alternativa A:
A razão de transferência de corrente de um espelho de corrente independe da geometria dos transistores.
Alternativa B:
O ganho intrínseco de um transistor bipolar depende diretamente da área de junção do dispositivo semicondutor e da corrente de operação.
Alternativa C:
Em um MOSFET, o ganho intrínseco diminui à medida que a corrente diminui, sendo, portanto, grandezas diretamente proporcionais.
Alternativa D:
O transistor bipolar de junção apresenta um valor de transcondutância muito maior para um mesmo valor da corrente de polarização cc, se comparado ao MOSFET.
Alternativa E:
Em um transistor bipolar de junção, a transcondutância independe da corrente de coletor.

Estatísticas Cadernos

Questão 3136784

Continue estudando na plataforma