Questão
ID 3135693Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2024 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue os itens a seguir.
Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p.