Questão 3134912 de Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica - FUNCERN 2025

Questão

ID 3134912

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2025 Banca: FUNCERN - Fundação de Apoio à Educação e ao desenvolvimento Tecnológico do RN Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Pernambuco

Em um projeto de um conversor de potência, a escolha da chave semicondutora é fundamental. Considere a diferença entre um MOSFET de potência e um BJT (Transistor Bipolar de Junção) de potência para uma aplicação de comutação. Embora ambos atuem como chaves, o principal fator que os diferencia é que

Alternativa A:
o BJT é uma chave controlada por tensão e é utilizado em circuitos de alta potência, enquanto o MOSFET é uma chave controlada por corrente e é mais comum em circuitos de baixa potência.
Alternativa B:
o MOSFET é mais rápido por ser controlado por corrente, e o BJT é mais lento por ser controlado por tensão.
Alternativa C:
o MOSFET é uma chave controlada por tensão, onde a tensão no terminal de porta-fonte controla a corrente de dreno; já o BJT é uma chave controlada por corrente, onde uma corrente na base controla a corrente de coletor.
Alternativa D:
o MOSFET é uma chave controlada por corrente, onde a corrente no terminal de porta-fonte controla a corrente de dreno; já o BJT é uma chave controlada por tensão, onde uma tensão na base controla a corrente de coletor
Alternativa E:
ambos, MOSFET e BJT, são chaves controladas por corrente, mas o BJT é mais eficiente para altas frequências.

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Questão 3134912

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