Questão
ID 3134910Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2025 Banca: FUNCERN - Fundação de Apoio à Educação e ao desenvolvimento Tecnológico do RN Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Pernambuco
Considere o circuito mostrado na figura a seguir, com transistor e uma fonte E, de 1 V (p-p), resistência RE =800Ω e tensão de alimentação VCC = 12 V. Os capacitores têm capacitância CIN = 4,7 µF e CO = 4,7 µF. Os outros resistores têm valores RB = 470 kΩ e RC = 1,2 kΩ. Todos os componentes são tomados como ideais.
FONTE: FUNCERN, 2025.
A partir da análise desse circuito transistorizado, encontra-se uma tensão entre coletor e emissor, VCE, aproximadamente, igual a