Questão 3134661

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2025

Questão

ID 3134661

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2025 Banca: MS Concursos Órgão: Prefeitura Municipal de Santana de Parnaíba

A respeito do funcionamento de um transistor Metal-Oxide-Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET) de canal N, observa-se que o dispositivo possui os seguintes terminais (dreno, fonte, porta e corpo). Nesse contexto, sabe-se que no MOSFET de canal N:

Alternativa A:
O terminal do corpo pode ser desconsiderado, resumindo o MOSFET a um dispositivo de três terminais, visto que o corpo está curto-circuitado com o dreno.
Alternativa B:
A dopagem do substrato tipo P em um MOSFET de canal N permite a formação de um canal condutor por elétrons quando uma tensão positiva maior que uma tensão de limiar é aplicada na porta.
Alternativa C:
Dopagens específicas não são necessária para o funcionamento do dispositivo, pois a condução ocorre unicamente por campo elétrico aplicado aos terminais do dreno e do corpo.
Alternativa D:
O substrato é dopado com material tipo N e o canal é formado entre duas regiões do tipo P, permitindo a condução de lacunas.

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