Questão 2951410

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2008

Questão

ID 2951410

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2008 Banca: CESPE CEBRASPE - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB Órgão: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais


Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.



O ganho de corrente do BJT fica prejudicado, em altas densidades de corrente, pelo chamado efeito Kirk, que consiste em uma aparente diminuição da largura efetiva da base quando a concentração de portadores que passam para o coletor é elevada.
Alternativas da questão 2951410
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