Questão
ID 238034Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores, Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2026 Banca: FGV - Fundação Getúlio Vargas Órgão: Amazônia Azul Tecnologias de Defesa S.A.
Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) são amplamente utilizados como chaves eletrônicas em conversores e inversores de potência, pois permitem o controle de grandes correntes com sinal de comando de baixa potência. Com base na estrutura física e no princípio de operação desses dispositivos, analise as afirmativas a seguir:
I. Tanto o IGBT quanto o MOSFET são dispositivos controlados por tensão aplicada ao gate, com elevada impedância de entrada devido à presença da camada isolante de dióxido de silício, 𝑆𝑖𝑂2.
II. No MOSFET, a condução é realizada apenas por portadores majoritários, elétrons, enquanto no IGBT há injeção de portadores minoritários.
III. O IGBT apresenta queda de tensão de condução praticamente constante (𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)), enquanto o MOSFET possui comportamento resistivo, com perdas proporcionais a 𝐼2𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛).
É correto o que se afirma em