Questão 2329042

Engenharia Mecatrônica · 2009

Questão

ID 2329042

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2009 Banca: IESES - Instituto de Estudos Superiores do Extremo Sul Órgão: Conselho Regional de Engenharia e Agronomia de Santa Catarina

Analisando as características dos transistores de efeito de campo (TEC), tipo Junção, é correto afirmar:

Alternativa A:
A tensão de ruptura de uma junção fonte-porta é medida em uma corrente especificada com os terminais dreno-fonte curto-circuitados.
Alternativa B:
A tensão de corte porta-fonte para a qual o canal porta-fonte é estrangulado, resultando em praticamente nenhuma corrente de dreno.
Alternativa C:
A resistência dreno-fonte para o dispositivo ligado, medida com uma tensão dreno-fonte e uma corrente de porta especificadas.
Alternativa D:
A corrente de saturação dreno-fonte representa a corrente na qual o canal é estrangulado quando os terminais de dreno-fonte estão curto-circuitados.