Questão
ID 2329030Disciplina: Engenharia Mecatrônica
Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo
Ano: 2009 Banca: IESES - Instituto de Estudos Superiores do Extremo Sul Órgão: Conselho Regional de Engenharia e Agronomia de Santa Catarina
Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:
I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.
II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.
III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.
IV. Aumentando-se VCB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.
A seqüência correta é: