Questão 2229060

Engenharia Mecatrônica · 2025

Questão

ID 2229060

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2025 Banca: FUNDATEC - Fundação Universidade Empresa de Tecnologia e Ciências Órgão: Grupo Hospitalar Conceição

Na figura abaixo, há um Transistor Bipolar de Junção (TBJ) de silício, que é um dispositivo semicondutor com três terminais: emissor, base e coletor.

Sobre a operação do TBJ de silício, assinale a alternativa correta.

Alternativa A:
Para que o transistor bipolar de junção (NPN) funcione adequadamente, é necessário polarizar base e coletor diretamente.
Alternativa B:
A tensão de barreira do VBE do transistor bipolar de junção (NPN) não precisa ser superada para que o transistor funcione adequadamente, pois o transistor é de silício.
Alternativa C:
Para que o transistor funcione adequadamente, o coletor deve ser menos positivo do que a base, e a base, menos positiva do que o emissor.
Alternativa D:
Para que o transistor bipolar de junção (NPN) funcione especificamente, é necessário polarizar coletor e base inversamente.
Alternativa E:
Nenhuma das alternativas anteriores está correta.