Questão 2129925 de Engenharia Mecatrônica - IFSP 2022

Questão

ID 2129925

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2022 Banca: IFSP - Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo

Transistores bipolares de junção e MOSFETs apresentam consideráveis semelhanças no que concerne aos seus parâmetros elétricos, caraterísticas de polarização e regiões de operação. Citando um exemplo especificamente em relação ao comportamento de parâmetros, pode-se dizer que a tensão V_BE dos TBJs é análoga à tensão limiar V_tdos MOSFETs.

Em vista disto, considere que um MOSFET tipo enriquecimento canal n, com tensão V_t = 2 V, está com seus terminais polarizados conforme a figura:

Fonte: IFSP, 2022.

Acerca de seus parâmetros de tensão e corrente, mediante suas regiões de operação, aponte a alternativa correta:

Alternativa A:
Quando a tensão, entre a porta e a fonte do MOSFET, estiver em 6 V, enquanto que a tensão, entre dreno e fonte, apresentar 3 V, a operação estará na região de triodo.
Alternativa B:
Quando ocorrer v_GS = 3 V, o MOSFET estará no corte.
Alternativa C:
Quando a tensão entre dreno e fonte estiver em 2 V, o MOSFET operará no limiar.
Alternativa D:
Quando a tensão, entre a porta e a fonte do MOSFET, estiver em 7 V, enquanto que a tensão, entre dreno e a fonte, apresentar 1,5 V, a operação estará na região de saturação.

Estatísticas Cadernos

Questão 2129925

Continue estudando na plataforma