Questão
ID 2113141Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2023 Banca: IFES - Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Espírito Santo Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Espírito Santo
Considere o transistor PMOS tipo enriquecimento com tensão de limiar 𝑉𝑡 = −1 𝑉 e valor de 𝑘'𝑝 (𝑊/𝐿) = 1 𝑚A/𝑉2, mostrado no circuito abaixo. Qual o valor de resistência 𝑅 para uma tensão V = +3 𝑉 e o maior valor de 𝑅 para que o transistor se mantenha na região de saturação, respectivamente? Considere ainda a corrente I = 0,5 𝑚A. Despreze qualquer efeito de modulação do comprimento do canal.
