Questão 2011548

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2024

Questão

ID 2011548

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2024 Banca: Instituto Verbena Órgão: Instituto Federal do Norte de Minas Gerais

Os transistores de efeito de campo (JFET e MOSFET) representam um grande avanço na eletrônica por propiciarem uma redução considerável nos níveis de potência nos dispositivos eletrônicos bem como o aumento da densidade em circuitos integrados quando comparados aos transistores bipolares de junção (TBJ). Por outro lado, ao serem empregados como amplificadores de sinais, os transistores de efeito de campo

Alternativa A:
possuem uma maior transcondutância, resultando em um ganho de tensão mais elevado que os TBJs.
Alternativa B:
têm uma impedância de entrada muito alta, o que minimiza a carga no circuito de entrada e reduz a distorção do sinal.
Alternativa C:
dispõem de uma menor faixa dinâmica de operação, limitando sua utilidade em aplicações de amplificação de sinais de alta potência.
Alternativa D:
necessitam de uma corrente de porta significativa para operar corretamente, ao contrário dos TBJs que são controlados por tensão.
Alternativa E:
operam com uma impedância de saída mais baixa, proporcionando uma melhor transferência de potência ao estágio seguinte.

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