Questão 1985838

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985838

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apresentam características I-V similares, no entanto são dispositivos
fundamentalmente diversos.
Quanto à comparação entre esses dois sistemas pode-se afirmar, EXCETO:

Alternativa A: A corrente na barreira Schottky é essencialmente de portadores majoritários.
Alternativa B: A corrente na junção p-n é devida a portadores minoritários.
Alternativa C: Os diodos de contato Schottky suportam uma corrente maior que os diodos p-n.
Alternativa D: A corrente de saturação dos diodos Schottky é muito maior que no diodo p-n.
Alternativa E: Diodos Schottky respondem melhor em altas freqüências que os diodos p-n, pois nesses últimos os minoritários
demandam mais tempo para esvaziar a região da barreira.

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