Questão 1985833

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985833

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assunto: Circuitos Integrados

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:

Alternativa A: Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta
mobilidade iônica.
Alternativa B: A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.
Alternativa C: A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.
Alternativa D: Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO₂.
Alternativa E: A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.