Questão
ID 1985758Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício.
I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que
a oxidação úmida.
II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on.
III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da
espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)
I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que
a oxidação úmida.
II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on.
III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da
espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)