Questão 1985755

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985755

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita

Alternativa A: a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa
velocidade de operação do dispositivo.
Alternativa B: a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
Alternativa C: a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
Alternativa D: a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.
Alternativa E: a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta
velocidade de operação do dispositivo.