Questão
ID 1985746Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Analise as afirmativas abaixo:
I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.
II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por
difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2).
III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água
(H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.
A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)