Questão 1985735

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985735

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.


Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.
I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.
II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.
III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação
do nitreto de silício.
A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)
Alternativas da questão 1985735
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