Questão
ID 1985730Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Considere as afirmativas abaixo.
I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.
II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.
III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.
II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.
III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).