Questão 1985697

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985697

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

Alternativa A: junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
Alternativa B: junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
Alternativa C: junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
Alternativa D: junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
Alternativa E: junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.