Questão 1985662

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985662

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em
condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são
controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de
dispositivos semicondutores de portadores minoritários

Alternativa A: Os diodos Schottky e os transistores bipolares de junção.
Alternativa B: Os tiristores e os IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors – Transistores Bipolares com Porta Isolada).
Alternativa C: Os JFET (Junction Field Effect Transistors – Transistores de Efeito de Campo de Junção) e os MOSFET (Metal-Oxide
Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-Semicondutor).
Alternativa D: Os diodos Schottky e os diodos PIN.
Alternativa E: Os MOSFET (Metal-Oxide Silicon Field Effect Transistors – Transistor de Efeito de Campo tipo Metal-Óxido-
Semicondutor) e os SCR (Silicon Controlled Rectifier – Retificador Controlado de Silício).

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