Questão
ID 1985653Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas IDS x VDS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS) deve sempre ser nulo.II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (IDS) e medição da tensão entre dreno e fonte (VDS) para um valor fixo de VGS.III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de VGS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.Estão corretas as sentenças: