Questão 1985631

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985631

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

Alternativa A: Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
Alternativa B: Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
Alternativa C: Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
Alternativa D: Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
Alternativa E: Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.