Questão
ID 1985616Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre
fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?
fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?