Questão
ID 1985614Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais
isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em
temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?
isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em
temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?