Questão
ID 1985515Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Componentes Eletrônicos: Diodos, Transistores, Tiristores e Amplificadores
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)