Questão
ID 1985439Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assunto: Circuitos Integrados
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de
terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS
com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das
interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)
terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS
com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das
interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)