Questão 1985434

Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica · 2012

Questão

ID 1985434

Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica

Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes

Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é
correto afirmar que:

Alternativa A: São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato
“p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
Alternativa B: São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.
Alternativa C: São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.
Alternativa D: São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.
Alternativa E: São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade
“n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.