Questão
ID 1985431Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assunto: Circuitos Integrados
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue.
I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de
interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas.
II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente
de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto.
III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a
integridade do sinal.
I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de
interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas.
II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente
de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto.
III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a
integridade do sinal.