Questão
ID 1985341Disciplina: Engenharia Elétrica e Engenharia Eletrônica
Assuntos: Materiais Condutores, Semicondutores e Isolantes
Ano: 2012 Banca: FUNRIO - Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência Órgão: Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.
A oxidação térmica do silício tem como finalidade
I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).
II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2).
III – a passivação da superfície do wafer.
Assinale a alternativa correta.