Questão 1984321

Engenharia Mecatrônica · 2019

Questão

ID 1984321

Disciplina: Engenharia Mecatrônica

Assuntos: Dispositivos Passivos e Principais Circuitos: Diodos, Transistores Bipolares, Transistores de Efeito de Campo

Ano: 2019 Banca: IDECAN - Instituto de Desenvolvimento Educacional, Cultural e Assistencial Nacional Órgão: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba

Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que

Alternativa A:
trata-se da tensão reversa responsável pelo mecanismo de avalanche nos semicondutores.
Alternativa B:
trata-se da Tensão Vce Limite na região ativa da Reta de carga de um transistor quando Ic tende a zero.
Alternativa C:
trata-se do efeito cumulativo de aumento no ganho Bt = B1*B2 associado a configuração Darlington de transistores.
Alternativa D:
trata-se do efeito resultante da inclinação da curva IB de polarização de um transistor que ao extrapoladas se interceptam em um ponto em comum do eixo negativo de Vce.
Alternativa E:
trata-se da carga armazenada em ambos os lados da camada de depleção em uma junção semicondutora PN.

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